GB/T 26066—2010硅晶片上浅腐蚀坑检测的测试方法.pdf， 行业分类电气工程。
此标准规定了用热氧化和化学择优腐蚀技术检验抛光片或外延片表面因沾污造成的浅腐蚀坑的检测方法。此标准适用于检测或晶向的p型或n型抛光片或外延片，电阻率大于O．OOlΩ?cm。
GB/T 26066—2010
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此标准规定了用热氧化和化学择优腐蚀技术检验抛光片或外延片表面因沾污造成的浅腐蚀坑的检测方法。此标准适用于检测或晶向的p型或n型抛光片或外延片，电阻率大于O．OOlΩ?cm。