GB/T 43493.3—2023

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GB/T 43493.3—2023半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据 第3部分:缺陷的光致发光检测方法.pdf, 行业分类电子学。

此标准提供了商用碳化硅(4H-SiC)同质外延片生长缺陷光致发光检测的定义和方法。主要是通过光致发光图像示例和发射光谱示例,为SiC同质外延片上缺陷的光致发光检测提供检测和分类的依据。

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