GB/T 43493.1—2023半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据 第1部分：缺陷分类.pdf， 行业分类电子学。
此标准给出了4H-SiC(碳化硅）同质外延片中的缺陷分类。缺陷是按品体学结构进行分类，并通过明场光学显微术（OM)、光致发光（PL）和X射线形貌（XRT))图像等无损检测方法进行识别。
GB/T 43493.1—2023半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据 第1部分：缺陷分类.pdf， 行业分类电子学。
此标准给出了4H-SiC(碳化硅）同质外延片中的缺陷分类。缺陷是按品体学结构进行分类，并通过明场光学显微术（OM)、光致发光（PL）和X射线形貌（XRT))图像等无损检测方法进行识别。