T/CASAS 014—2021碳化硅衬底基平面弯曲的测定 高分辨X射线衍射法.pdf，行业分类电子元件及电子专用材料制造。
内容简要 碳化硅（SiC）具有高临界击穿场强、高的热导率、高电子饱和漂移速率、优越的机械特性和物理、化学稳定性等特点，可用于制作高温大功率器件。使用碳化硅作为衬底生长器件结构时，衬底质量…
T/CASAS 014—2021碳化硅衬底基平面弯曲的测定 高分辨X射线衍射法.pdf，行业分类电子元件及电子专用材料制造。
内容简要 碳化硅（SiC）具有高临界击穿场强、高的热导率、高电子饱和漂移速率、优越的机械特性和物理、化学稳定性等特点，可用于制作高温大功率器件。使用碳化硅作为衬底生长器件结构时，衬底质量…