T/CASAS 004.1—20184H碳化硅衬底及外延层缺陷术语.pdf，行业分类自然科学研究和试验发展。
内容简要 由于4H-SiC缺陷特别是4H-SiC外延缺陷与常见的其它半导体缺陷形状、类型、起因因外延生长模式的不同而有所不同或完全不同，而且目前尚未有适用的国家标准和行业标准，因此，为了…
T/CASAS 004.1—20184H碳化硅衬底及外延层缺陷术语.pdf，行业分类自然科学研究和试验发展。
内容简要 由于4H-SiC缺陷特别是4H-SiC外延缺陷与常见的其它半导体缺陷形状、类型、起因因外延生长模式的不同而有所不同或完全不同，而且目前尚未有适用的国家标准和行业标准，因此，为了…