T/IAWBS 013—2019半绝缘碳化硅单晶片电阻率非接触测量方法.pdf，行业分类电子元件及电子专用材料制造。
内容简要 SiC是继第一代以Si为代表的半导体材料和以砷化镓为代表的第二代半导体材料之后的第三代宽禁带半导体材料，由于自身的物理性能的优势，碳化硅作为衬底材料在极端物理条件下具有得天独厚…
T/IAWBS 013—2019
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内容简要 SiC是继第一代以Si为代表的半导体材料和以砷化镓为代表的第二代半导体材料之后的第三代宽禁带半导体材料，由于自身的物理性能的优势，碳化硅作为衬底材料在极端物理条件下具有得天独厚…