T/IAWBS 008—2019SiC晶片的残余应力检测方法.pdf，行业分类电子元件及电子专用材料制造。
内容简要 近年来，以碳化硅(SiC)为代表的第三代半导体材料引发全球瞩目。由于其具有禁带宽、击穿电场强度高、饱和电子迁移率高、热导率大、介电常数小、抗辐射能力强等优点，可广泛应用于新能源…
T/IAWBS 008—2019SiC晶片的残余应力检测方法.pdf，行业分类电子元件及电子专用材料制造。
内容简要 近年来，以碳化硅(SiC)为代表的第三代半导体材料引发全球瞩目。由于其具有禁带宽、击穿电场强度高、饱和电子迁移率高、热导率大、介电常数小、抗辐射能力强等优点，可广泛应用于新能源…