T/CASAS 001—2018碳化硅肖特基势垒二极管通用技术规范.pdf，行业分类工程和技术研究和试验发展。
内容简要 碳化硅（SiC）是目前发展最成熟的宽禁带半导体之一，具有比硅更高的击穿场强、更快的饱和速度和电子漂移速度、更宽的禁带宽度和更高的热导率等特性，可制作性能更加优异的高效、高温、高…
T/CASAS 001—2018碳化硅肖特基势垒二极管通用技术规范.pdf，行业分类工程和技术研究和试验发展。
内容简要 碳化硅（SiC）是目前发展最成熟的宽禁带半导体之一，具有比硅更高的击穿场强、更快的饱和速度和电子漂移速度、更宽的禁带宽度和更高的热导率等特性，可制作性能更加优异的高效、高温、高…