T/CASAS 003—2018

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T/CASAS 003—2018p沟道IGBT器件用4H碳化硅外延晶片.pdf,行业分类谷物种植。

内容简要 SiC半导体材料以其独特的优异性能,特别适合制作高压、超高压功率器件。10kV级以上高压/超高压SiC功率器件多为垂直结构的双极型器件,如SiCPiN二极管、IGBT及GTO晶…

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