T/CASAS 013—2021碳化硅晶片位错密度检测方法 KOH腐蚀结合图像识别法.pdf，行业分类电子元件及电子专用材料制造。
内容简要 碳化硅（这里指4H-SiC）材料作为重要的第三代宽禁带半导体材料，具有高临界击穿场强、高的热导率、高的电子饱和漂移速率、优越的机械特性和物理、化学稳定性等特点，可用于制作高温大…
T/CASAS 013—2021碳化硅晶片位错密度检测方法 KOH腐蚀结合图像识别法.pdf，行业分类电子元件及电子专用材料制造。
内容简要 碳化硅（这里指4H-SiC）材料作为重要的第三代宽禁带半导体材料，具有高临界击穿场强、高的热导率、高的电子饱和漂移速率、优越的机械特性和物理、化学稳定性等特点，可用于制作高温大…