T/CASAS 017—2021第三代半导体 微纳米金属烧结技术 术语.pdf，行业分类电子元件及电子专用材料制造。
内容简要 第三代半导体材料是指带隙宽度明显大于第一代半导体（如：硅、锗）、第二代半导体（如：砷化镓、磷化铟）的宽禁带半导体材料，目前产业化以SiC、GaN为主。它具备禁带宽度大、击穿电场…
T/CASAS 017—2021第三代半导体 微纳米金属烧结技术 术语.pdf，行业分类电子元件及电子专用材料制造。
内容简要 第三代半导体材料是指带隙宽度明显大于第一代半导体（如：硅、锗）、第二代半导体（如：砷化镓、磷化铟）的宽禁带半导体材料，目前产业化以SiC、GaN为主。它具备禁带宽度大、击穿电场…