T/IAWBS 015—2021氧化镓单晶片X射线双晶摇摆曲线半高宽测试方法.pdf，行业分类电子元件及电子专用材料制造。
内容简要 氧化镓（Ga2O3）因其具有4.9eV超宽带隙，且具有天然的日盲紫外特性以及极高的击穿场强获得了广泛关注。氧化镓拥有日盲、耐高压高温、低损耗高功率等特点，在半导体功率器件及电力…
T/IAWBS 015—2021氧化镓单晶片X射线双晶摇摆曲线半高宽测试方法.pdf，行业分类电子元件及电子专用材料制造。
内容简要 氧化镓（Ga2O3）因其具有4.9eV超宽带隙，且具有天然的日盲紫外特性以及极高的击穿场强获得了广泛关注。氧化镓拥有日盲、耐高压高温、低损耗高功率等特点，在半导体功率器件及电力…