GB/T 33657—2017纳米技术 晶圆级纳米尺度相变存储单元电学操作参数测试规范.pdf， 行业分类电子学。
此标准规定了纳米尺度相变存储单元读写擦参数的晶圆测试规范，其测试结果可用于表征相变存储材料或器件的电学可操作性能。
此标准适用于以硫系化合物为主要原料，基于半导体晶圆工艺加工制造的电极尺度小于100nm的相变存储单元，100nm~300nm的相变存储单元也可参照此标准执行。
此标准不适用于包含外围驱动电路的存储单元。
GB/T 33657—2017
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