T/IAWBS 003—2017碳化硅外延层载流子浓度测定_汞探针电容-电压法.pdf，行业分类电子元件及电子专用材料制造。
内容简要 本标准规定了碳化硅（4H-SiC）外延层载流子浓度的测定方法─汞探针电容－电压法。 本标准适用于单层同质碳化硅外延层载流子浓度的测量，要求测量的碳化硅外延层厚度必须大于测试偏压…
T/IAWBS 003—2017碳化硅外延层载流子浓度测定_汞探针电容-电压法.pdf，行业分类电子元件及电子专用材料制造。
内容简要 本标准规定了碳化硅（4H-SiC）外延层载流子浓度的测定方法─汞探针电容－电压法。 本标准适用于单层同质碳化硅外延层载流子浓度的测量，要求测量的碳化硅外延层厚度必须大于测试偏压…